Биполярные транзисторы имеют по 2 p-n полупроводниковых перехода. Эти переходы могут комбинироваться как p-n-p и n-p-n. Напомним, здесь n от слова negative, а p — positive.
Точнее n — отрицательная (электронная) проводимость материала из которого сделан полупроводник p — дырочная (положительная) проводимость. На стыке двух материалов образуется p-n переход или электронно-дырочный переход. Электрический ток через p-n переход может протекать только в одном направлении, от p к n.
Вернёмся к транзисторам. Существуют транзисторы с прямой (p-n-p) и обратной (n-p-n) проводимостью.
Рис. 1. Условное схематическое изображение транзисторов n-p-n (Q1) и p-n-p (Q2).
P-n-p транзисторы открываются током базы направленным от эмиттера к базе. То есть чтобы открыть транзистор, необходимо подать на базу отрицательное по отношению к эмиттеру напряжение.
N-p-n транзисторы открываются током базы направленным от базы к эмиттеру. То есть чтобы открыть транзистор, необходимо подать на базу положительное по отношению к эмиттеру напряжение.
Транзистор является усилительным прибором. Малым током базы можно управлять большим током коллектора. Усилительные свойства транзистора характеризуются коэффициентом передачи по току. У большинства современных биполярных транзисторов коэффициент передачи по току достигает нескольких сотен единиц.
Биполярные транзисторы выпускают рассчитанными на разную мощность и в различных типах корпусов. При макетировании маломощные транзисторы, чаще всего, используют в корпусе типа TO-92.
Рис. Транзистор в корпусе TO-92
Ниже в таблице приводим цоколёвку некоторых транзисторов в корпусе TO-92.
| Транзистор | T | 1 | 2 | 3 | h21э | Ikmax | Ukemax | Fmax MHz |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N2222 | О | Э | Б | К | 290 | 0,6 | 30 | 250 |
| 2N3904 | О | Э | Б | К | 260 | 0,2 | 40 | 300 |
| 2N3906 | П | Э | Б | К | 260 | 0,2 | 40 | 250 |
| BC337 | О | К | Б | Э | 315 | 0,8 | 45 | 100 |
| BC327 | П | К | Б | Э | 250-630 | 0,8 | 45 | 100 |
| BC547 | О | К | Б | Э | 385 | 0,5 | 45 | 300 |
| BC557 | П | К | Б | Э | 480 | 0,2 | 45 | 100 |
| MJE13002 | O | Б | К | Э | 8-40 | 1,5 | 300 | 10 |
| SS8050 | О | Э | Б | К | 250 | 1,5 | 25 | 100 |
Табл. 1. Цоколёвка некоторых транзисторов в корпусе TO-92
В таблице 1 буквы обозначают Э - эмиттер, Б - база, К - коллектор. в колонке Т обозначен тип транзистора О (обратной проводимости, n-p-n), П (прямой проводимости, p-n-p). h21э статический коэффициент усиления тока в схеме с общим эмиттером. Ikmax максимально допустимый ток коллектора. Ukemax максимально допустимое напряжение эмиттер коллектор Fmax граничная рабочая частота.
